氧化钒（VOX)和法系的多晶硅两者的区别
采用氧化钒焦平面探测器的非制冷热像仪在国内是一种比较新型的热像仪。氧化钒材料焦平面探测器与多晶硅相比有更好的图像质量和灵敏度，可更好地满足不同的使用要求。而过去国内生产的热像仪主要采用的是多晶硅测辐射热计。
多晶硅红外探测器特点
多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅被喻为微电子产业和光伏产业的"基石"，它是跨化工、冶金、机械、电子等多学科、多领域的高新技术产品，是半导体、大规模集成电路和太阳能电池产业的重要基础原材料，是硅产品产业链中极为重要的中间产品。它的发展与应用水平，已经成为衡量一个国家综合国力、国防实力和现代化水平的重要标志。据了解，目前国内生产多晶硅产品的厂家为数很少，远远无法满足国内微电子产业和太阳能电池产业的高速发展。随着我国集成电路、硅片生产和太阳能电池产业的发展，多晶硅在国内国际市场需求巨大，价格不断攀升多晶硅。
氧化钒红外探测器特点
采用了先进的非制冷测辐射热计（氧化钒）凝视型焦平面探测器；
探测器单个光敏元的面积较小（38μm间距），从而可以减小热像仪系统的体积和重量；
探测器的灵敏度更高，在f/1.6时NETD可达到85mK，当f/1.0时，其NETD等效为35mK，接近一般的制冷型探测器。因而使热像仪具有更高的探测和识别距离；
内部采用了很好的非均匀性补偿电路，因此不需要使用热电制冷器（TEC）来稳定焦平面的工作温度，在（-40~+75℃）的工作温度范围内，热像仪具有良好的图像均匀性和动态范围；
由于不使用TEC，使热像仪带来启动工作快和功耗低两大特点。2s的驱动时间，可以使热像仪随时开机使用，无需等待。而热像仪机芯的功耗可以减小到1.5W，延长了电池的工作时间；
简言之，氧化钒探测器主要的优势是对于红外光线的光电转换效率更高，相比于多晶硅探测器拥有更高的信噪比和强光保护能力。氧化钒探测器的温度稳定性好、寿命长，温度漂移小。
氧化钒机芯相对多晶硅机芯有更好的图像质量和灵敏度，使热像仪有更高的探测和识别距离。功耗低、启动工作快，开机即可使用。图像清晰度是多晶硅机芯的3倍。氧化钒的温度探测灵敏度可以达到0.03℃，而多晶硅机芯只能达到0.1℃。同时氧化钒机芯相比多晶硅机芯寿命更长更耐用。采用氧化钒焦平面探测器的非制冷热像仪在国内是一种比较新型的热像仪。氧化钒材料与多晶硅相比有更好的图像质量和灵敏度，可以更好地满足不同的使用要求。而过去国内生产的热像仪主要采用的是多晶硅。
随着热成像技术的日臻成熟，人们的要求也越来越高，对温差的感应、机芯的耐用程度及图像清晰度也有了近乎严苛的要求，传统的多晶硅机芯在安防设备中已经不占优势，而氧化钒则可以弥补多晶硅机芯的短板且有自己独有的优势，已经在安防市场中占据了举足轻重的地位。
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